本发明公开了一种应用于锁相环的鉴相鉴频器和电荷泵组合电路结构，该组合电路结构由鉴相鉴频器和电荷泵依次连接而成，鉴相鉴频器用来鉴别参考信号fref和反馈信号fdiv的相差或频差，产生相差或频差信号和符号
发布时间： 2010-12-29
本发明公开了一种锁相环频率综合器，用于提高带内相位噪声性能和降低功耗，该锁相环频率综合器包括：粗调谐回路，用于选择不同的频率控制字，实现频率锁定；精调谐回路，用于实现环路的相位锁定；其中，在锁定状态时
发布时间： 2010-12-29
本发明涉及6-取代氨基-3-氰基喹啉类化合物(简称化合物A)的制备方法及其中间体。更具体而言，涉及结构式如下所示的通式(I)化合物、其制备方法、其中间体及其用于制备化合物A的用途。所述通式(I)所示的
发布时间： 2011-07-13
本发明涉及一种非逐行非逐列的LED显示屏幕亮色度参数采集方法，该方法包括下述步骤：将包含M行N列像素的显示屏幕分为m个区域；每次采用CCD相机对显示屏的亮色度参数进行采集时，控制各区域的其中0～2行像
发布时间： 2011-07-13
本发明提供的全固态锂二次电池电解质材料包含：Li2S；第一硫化物，所述第一硫化物为GeS和/或GeS2；第二硫化物，所述第二硫化物为FeS、FeS2、SiS2、P2S5、B2S3、CeS2和Al2S3
发布时间： 2012-07-04
本发明提供一种固体氧化物燃料电池堆，包括：上集流板、下集流板和容纳在所述上集流板和下集流板之间的堆叠结构；所述堆叠结构包括至少两个连接件、设置在相邻的两个所述连接件之间的电池片，所述连接件具有阳极侧和
发布时间： 2011-07-13
本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复
发布时间： 2011-07-13
本发明提出一种半导体结构，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底中的器件区和STI区，其中，所述STI区从所述硅衬底的底部刻蚀并填充形成以避免出现缺角，且所述STI区中填充有介质材料；形成在所述硅衬底中且位于
发布时间： 2011-07-13
本发明公开了一种源地址验证方法和系统，所述方法，包括下列步骤：移动节点接收外地代理的周期性的代理通告，并根据代理通告的指示信息，进行对应的移动注册SAVI设备监听所述移动节点的移动注册过程，通过对监听
发布时间： 2011-07-13
本发明涉及一种制备二氧化钒粉体的方法，包括采用碱性试剂处理四价钒离子水溶液得到悬浊液的前驱体处理工序。本发明的制备方法操作简便，成本低、收率高，适合规模生产，本发明的方法制备的二氧化钒粉体粒径尺寸均一
发布时间： 2011-07-13