本发明公开了一种监控中多路视频信息融合处理与显示的方法和系统。该 方法包括下列步骤：在初始化时，根据各路视频视野和电子地图视野的标定点， 确定每一路视频的局部图像坐标系到全局地图坐标系的坐标变换关系；
发布时间： 2008-10-01
本发明属于通信技术领域，特别是一种用于快速傅立叶变换蝶型单元 的高效实现方法。通过蝶型单元中旋转因子已知和流水线结构的设计思 想，实现在两个周期内，采用两个实数乘法器和三个/五个实数加法器，完 成蝶型
发布时间： 2008-10-01
本发明涉及数字信号处理技术领域，公开了一种运放共享的MDAC 电路，该电路包括：第一级MDAC电路，用于对接收自外部的差分信号 in1和in2进行余差放大，将得到的差分信号out1和out2输出给第二
发布时间： 2008-10-01
一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特 征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道 结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单 电
发布时间： 2008-10-01
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护性 能的方法，该方法采用在SOI电路的体区进行ESD注入，改变SOI电路 的ESD击穿电压，并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各栅条
发布时间： 2008-10-01
本发明公开了一种制备晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗 干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前 烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、
发布时间： 2008-10-01
本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗 干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前 烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、
发布时间： 2008-10-01
本发明公开了一种采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方 法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离 的第一层电子束胶，然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电 子束胶Z
发布时间： 2008-10-01
本发明涉及射频微机电系统技术领域，公开了一种静电推拉式单晶硅 梁射频微机电系统开关，包括开关可动部分和开关不可动部分；所述开关 可动部分由SOI的顶层单晶硅形成，在该开关可动部分两端的上侧面分别 有下
发布时间： 2008-10-01
本发明涉及射频微机电系统技术领域，公开了一种双稳态单晶硅梁射 频微机电系统开关，该射频微机电系统开关包括电磁驱动部分和悬臂梁可 动部分，电磁驱动部分和悬臂梁可动部分采用对准键合方式结合在一起； 电磁驱
发布时间： 2008-10-01