本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)
发布时间： 2011-06-29
一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行反转Halo离子注入以形成反转Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进
发布时间： 2011-06-29
本发明涉及一种采用无源加载方式控制副瓣电平的有源相控阵天线，其特征在于所述的有源相控阵天线的阵面是由有源加载单元和无源加载单元共同组成，无源加载单元位于有源加载单元的四周；每个有源加载单元通道由独立的
发布时间： 2011-06-29
通过直接在NMOS的源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，例如钨，从而对NMOS器件的沟道区施加拉应力。而后去除所述NMOS器件的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步
发布时间： 2011-06-29
本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀
发布时间： 2011-06-29
本发明公开了一种用于鉴频鉴相器的数字边沿对齐器，所述数字边沿对齐器包括相互连接的一个由基本逻辑门构成的触发器、一个反相器和一对与非门；所述触发器至少包含一对数据输入端，所述触发器将一路信号转变为两路边
发布时间： 2011-06-29
一种用于光刻照明的多分区光学位相板的设计方法，其特点在于该方法包括下列步骤：①计算位相单元的尺寸l；②光学位相板分区大小d的选取；③入射光束和确定所需光束的光强分布并进行矩阵化处理；④对位相板中一个分
发布时间： 2011-06-29
本发明涉及一种高温质子交换膜燃料电池系统热管理方法，所述燃料电池系统包括冷却介质循环子系统，所述冷却介质循环子系统包括循环泵、循环液储箱和换热器，所述循环液储箱充有冷却介质作为循环液，所述循环液为沸点
发布时间： 2011-06-29
一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在PMOS栅堆叠的侧壁形成第二侧墙缓冲层，所述第二侧墙缓冲层由疏松的低k介质材料形成；而后形成器件的侧墙及源漏/halo区和源、漏极区；而后在氧环境
发布时间： 2011-06-29
本发明涉及一种高强度透明高导电性自支持碳纳米管超薄膜及其制备方法。该超薄膜主要由碳纳米管交织的网络组成，碳纳米管用量为0.01-0.7mg/cm2，膜厚度在10nm以上，透光率50-97％，电导率30
发布时间： 2011-06-29