本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅极；形成源/漏区；对伪栅极进行选择性刻蚀，直至将要形成沟道的位置；以及在将要形成沟道的位置处外延生长沟道
发布时间： 2011-07-06
本发明公开了一种多线网之间物理短路位置的自动定位方法，属于电子设计自动化技术领域。所述方法包括：接收电路图/电路网表、物理版图数据及LVS结果数据，根据所述电路图/电路网表、物理版图数据及LVS结果数
发布时间： 2011-07-06
本发明公开了一种台勾霉素的生物合成基因簇及其应用。整个基因簇饱含31个基因：聚酮合成酶基因，即tiaA1、tiaA2、tiaA3、tiaA4：脱氧糖基的生物合成基因，即tiaS1、tiaS2、tiaS
发布时间： 2011-07-06
本发明实施例提供一种电流源电路，所述电流源电路包括两个PMOS管、三个NMOS管以及一个电阻；与传统的电流源电路相比，该电流源电路增加了一个NMOS管，即增加了一个设计参数，使得电流源电路的温度系数较
发布时间： 2012-09-19
本发明提供一种实现单色器与谱学显微镜通信的接口系统和方法。所述单色器包括单色器控制模块，所述谱学显微镜包括谱学显微镜控制模块，其中所述接口系统包括依次连接在所述谱学显微镜控制模块与所述单色器控制模块之
发布时间： 2012-09-19
一种多孔介质毛细水上升高度的试验方法，其特征是利用一种试验装置量测毛细水上升高度。该装置各部件关联如下：水箱(1)通过下水管(2)与测压管(6)连接，测压管(6)通过塑料管(18)与毛细管(9)连接，
发布时间： 2012-09-19
本发明公开了一种利用自由曲面透镜实现光束匀光控制的方法，包括：步骤1：确定需要进行匀光控制的光源的光分布形式；步骤2：确定实现匀光控制区域的位置信息；步骤3：确定透镜材料；步骤4：基于能量守恒定律，将
发布时间： 2012-09-19
本发明提供一种由钒酸盐制备含钙钒氧化物的方法，该方法包括如下步骤：(1)向可溶性钒酸盐水溶液中加入钙源，反应得到钒酸钙沉淀，过滤并洗涤；(2)将步骤(1)得到的钒酸钙加水调浆，在加热条件下向浆液中加入
发布时间： 2012-09-19
本发明公开了一种OsMADS57蛋白或其编码基因在抑制水稻分蘖中的应用。本发明提供了OsMADS57蛋白或其编码基因或表达OsMADS57的重组载体在抑制植物分蘖中的应用。本发明的实验证明，在粳稻中花
发布时间： 2012-09-19
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆
发布时间： 2012-09-19