一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在
发布时间： 2012-09-19
本发明公开了一种并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物及其制备方法与应用。式I所示并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物中，R1为C1~C30烷基；R2为氢或C1~C30烷基；X为O、S或Se原子；M为Zn、Cu、Ni、Al
发布时间： 2012-09-19
本发明涉及4-氯-2-三氟乙酰基苯胺及其类似物的新合成方法。4-氯-2-三氟乙酰基苯胺可作为合成抗艾滋药物依法韦仑的关键中间体。
发布时间： 2012-09-19
一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中填充导电材料，形成第一连接钉；对所述半导
发布时间： 2012-09-19
本发明公开了一种基于云的预警调度架构与其中的抢劫侦测方法，该方法包括对视频监控画面进行获取，然后采用背景消去法对获取的视频监控画面进行前景和背景的分割，对背景消去图进行感兴趣区域边界界定，根据预存的模
发布时间： 2012-09-19
本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开
发布时间： 2012-09-19
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一栅极结构的NMOS器件和包括第二栅极结构的PMOS器件；第一应力衬里，至少形成在所述NMOS器件的第一栅极结构的两侧；第二应力衬里，至少形成在
发布时间： 2012-09-19
本发明提供一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法，属于微电子与固体电子领域，该方法包括：在单晶硅衬底上生长一层高质量的SiO2，然后在该SiO2层上旋涂一层高聚物作为制备石墨烯的碳源；再在高聚物上
发布时间： 2012-09-19
本发明公开了一种光刻仿真的方法及装置。该方法包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域
发布时间： 2012-09-19
本实用新型公开一种防止寒区道路翻浆的路基，它是由防水土工布、碎石层、透水土工布和路基填土构成，在夯实的天然地表上铺筑由粗颗粒土构成的路基填土后，铺设防水土工布；然后在防水土工布上铺筑碎石层；在碎石层顶
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