液态金属冷却的级联式半导体温差发电装置

本发明的利用液态金属冷却的级联式半导体温差发电装置,包括:级联式半导体温差发电模块、位于模块一侧的液体金属散热器;液体金属散热器包括:直接与发电模块低温端接触的导热平片;安装在一电磁泵基底内槽道内的电

发布时间: 2010-06-30

内部带有滑块的用于驱动液体金属的电磁泵

本发明涉及一种内部带有滑块的用于驱动液体金属的电磁泵,其包括:内设中空流道的泵体,中空流道一侧相对的壁面上分别设有与外界相通的流道入口和流道出口;中空流道另一侧相对的壁面上分别嵌装片状电极;中空流道内

发布时间: 2010-06-30

一种利用高能离子束辐照时减小离子束展宽Bragg峰后沿剂量半影的方法

本发明涉及一种利用高能离子束辐照减小离子束展宽Bragg峰后沿剂量半影的方法。脊形过滤器垂直放置于束流扫描二级磁铁、离子探测器、射程移位器间的束流轴线中,并离子探测器与置于射程移位器之间,由束流扫描二

发布时间: 2010-06-30

一种基于分叉特征的三维骨架快速提取方法

本发明为基于分叉特征的三维骨架快速提取方法,首先对树状体素模型自动提取根点和末梢点;其次对体素模型的根点和末梢点进行种子点距离变换,根据根点或末梢点出发的区域生长策略,自动判断分叉特征并优化分割面,将

发布时间: 2010-06-30

低温干涉仪

本发明公开了一种低温干涉仪,它包括动镜模块、定镜模块、分束器模块、干涉仪框架、传热板、隔热支撑筒、以稳频激光器为代表的光程差度量系统、以气动元件和储气筒为代表的动镜锁定装置、干涉仪安装基板等组成。这种

发布时间: 2011-12-21

一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法

本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法,该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面,采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面,背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备,背面

发布时间: 2011-12-21

一种非金属真空腔室结构

本发明公开了一种非金属真空腔室结构,属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;进气口设置于上盖板的中心处,排气口设置于下盖板的中心处,上盖板、

发布时间: 2011-12-21

基于群组上下文的行人计数方法

本发明提供一种基于群组上下文的行人计数方法,所述方法是根据固定监控摄像头采集的图像序列,提取运动前景图像;对相邻图像帧中的群组,建立群组距离矩阵;利用群组距离矩阵,建立群组相关性矩阵;利用群组相关性矩

发布时间: 2011-12-21

一种数据库空间栅格对象存取方法

一种向数据库存入空间栅格对象的方法,包含:创建具有栅格列的用户主表和支持行内与行外两种存储模式的栅格分块附属结构;创建新的空间栅格对象,指定存储模式,并插入到用户主表的栅格列中;导入像元数据,由分块写

发布时间: 2010-06-30

一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构

本发明公开了一种可调节垂直栅SOI?CMOS器件沟道电流的叉指型结构,其由多个垂直栅SOI?CMOS器件并列排布而成,其中相邻的垂直栅SOI?CMOS器件的PMOS区与PMOS区相邻,NMOS区与NM

发布时间: 2010-06-30