本发明公开了一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法。该方法首先写出约瑟夫森结中狄拉克方程，并对传播方向的哈密顿量进行离散化；利用Floquet定理，将结中由偏压产生的交流效应展开在非平衡格
发布时间： 2012-03-28
本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设
发布时间： 2012-03-28
本发明公开了一种铁氧体-碳纳米管复合材料的用途，发明人发现铁氧体-碳纳米管复合材料在低温下仍然能够保持良好的电导率，尤其当该复合材料中碳纳米管占铁氧体质量百分比为0.1％～20％时，温度降低至260K
发布时间： 2012-03-28
本发明公开了一种锌合金表面的化学镀铜溶液及其镀铜工艺，属于锌合金表面非电镀处理技术。该化学镀铜溶液包括：五水合硫酸铜5～7g/L、络合剂30～70g/L、氢氧化钠90～120g/L、次亚磷酸钠4～10
发布时间： 2012-03-28
本发明公开了一种基于太赫兹波的音频无线通信链路实现方法及系统。该音频无线通信链路系统包括发射端和接收端，其发射端包括驱动电路和与之连接的THzQCL，驱动电路采用强度调制，输出叠加有音频信号的驱动电压
发布时间： 2012-03-28
本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有
发布时间： 2012-03-28
本发明涉及经济海藻的培育方法，具体的说是一种铜藻全人工苗种培育方法。具体为选取生殖托发育良好的铜藻雌雄亲本在2500-10000勒克斯的光照强度、10-16℃温度培养10-20天，实现铜藻同步性发育和
发布时间： 2010-06-30
本发明提供了一种改善铝铜异质金属连接强度的搅拌摩擦焊接方法，在焊接工具偏置条件下对铝铜异质金属板进行搅拌摩擦焊接，可以改善材料的流动性，提高铝铜连接强度。
发布时间： 2010-06-30
本发明提供了一种空心金纳米笼的制备方法，包括：将氯金酸、六亚甲基四胺和保护剂溶解于水中，得到生长液；取所述生长液，加入还原剂和金纳米粒子，混合均匀，得到金种子溶液；取所述生长液，加入银盐和还原剂，混合
发布时间： 2010-06-30
本发明公开了一种催化剂体系及其在有机合成中导入多氟苯基的应用。该催化剂体系由钯催化剂、膦配体和极性非质子溶剂组成。在所述催化剂体系存在的条件下，用多氟代芳香酸盐和亲电底物在80-280℃下反应，可生成
发布时间： 2010-06-30