本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构，所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区；第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯
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本发明公开了一种调节金属栅的栅功函数的方法，该方法包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，杂质激活
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本发明涉及一种多层管壁参与导电的多壁碳纳米管电极的制作方法，其包括将多壁碳纳米管分散于具有绝缘介质层衬底上；通过电子束曝光等微纳米加工技术制作仅接触多壁碳纳米管外层管壁的金属电极；利用聚焦离子束刻蚀技
发布时间： 2011-06-29
本发明提供一种碳棒加装器，其包括箱体、推杆和驱动所述推杆轴向移动的驱动机构，所述箱体内设有用于上下依序装载多根平行排列的碳棒的滑槽，所述滑槽下端的两侧设有一推杆入口和一碳棒出口，所述推杆伸入所述推杆入
发布时间： 2011-06-29
一种双金属栅功函数的调节方法，主要步骤为：(1)用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；(2)利用磁控反应溅射在超薄界面氧化层上交替溅射淀积高介电常数(K)栅介质，(3)淀积高K栅介质后，快速热退火
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本发明公开了一种利用聚酰亚胺制作介质桥的方法，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布聚酰亚胺，并高温
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本发明公开了一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布苯并环丁烯，并
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本发明公开了一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法，该方法是在铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的上下表面处淀积氮化铝薄膜，再经高温退火形成铪硅铝氧氮高介电常数栅介质，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进
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一种山区村镇分散生活污水生态净化系统，由自然汇流与沟道沉沙池子系统、跌落曝氧子系统、洪污分流子系统、强化介质处理子系统和沟渠植被拦截子系统构成；自然汇流与沟道沉沙池子系统以自然径流沟为汇流体系，等距修
发布时间： 2011-06-29
本发明公开了一种制备三维微纳器件的方法，涉及三维微纳器件技术，包括步骤：(1)样品放置与固定；(2)自由站立微纳材料的图形观测；(3)衬底平面内电极接触块及/或连线的生长；(4)三维电极接触及连线的制
发布时间： 2011-06-29