本发明的目的在于提供一种通知方法、装置及源电子设备，该通知方法，应用于一源电子设备，所述通知方法包括：获取一通知消息；所述通知消息指示一目标电子设备与所述源电子设备之间的距离低于预设距离门限；提取所述
发布时间： 2013-01-02
本发明公开了一种基于单体原位聚合的均相阴离子交换膜及其制备方法，特征是在每4ml氯甲基苯乙烯单体中加入0.08-0.80ml二乙烯基苯，再加入0.5-2g酚酞基聚醚酮和0.04-0.20g过氧化二苯甲
发布时间： 2011-09-14
本发明公开了一种解决对称多处理系统可扩展性问题的多核处理系统及 其管理方法。该系统，包括多个处理器核和/或多个处理器、分区模块和启动 模块：所述分区模块，用于解析由用户指定的各个分区的资源配置参数和启
发布时间： 2008-03-26
本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠；在所述衬底上形成源/漏区和源/漏外延区，所述源/漏外延区与源/漏区相连，且其长度大于所述源/漏区的长度，所
发布时间： 2013-01-02
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂
发布时间： 2013-01-02
本发明公开了一种测量冻土试验中相变过程温度和电阻率分布的装置。其结构特征是反应釜放置在恒温箱内；反应釜内设置一绝缘套筒；反应釜两端的冷浴装置控制递增或者递减的温度梯度；连接反应釜的输入和输出管道装有截
发布时间： 2013-01-02
本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构 作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材 料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利 用
发布时间： 2008-03-26
本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、半导体基体、半导体辅助基体层、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述
发布时间： 2013-01-02
本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、半导体基体、背栅介质层、背栅、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述
发布时间： 2013-01-02
本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面
发布时间： 2013-01-02