本发明涉及高能复合火药、炸药及其制备技术。其制备方法中先将高能材料加工 成厚度为1μm-1mm薄膜，将火炸药药料经熔化、乳化工艺过程制成有粘性的炸药涂料 涂在薄膜材料表面，得到高能薄膜复合火炸药坯料；
发布时间： 2009-09-30
本实用新型涉及一种轮足式爬壁机器人机构，包括半圆柱形的第1本体及第2本体、连杆、第1吸盘足以及第2吸盘足，其中第1本体及第2本体下部分别设有第1吸盘足以及第2吸盘足，第1本体及第2本体轴线平行，以接触
发布时间： 0000-00-00
本发明公开一种抑制人microRNA-1236表达的反义寡聚核苷酸及其应用。该反义寡聚核苷酸特异性结合于人miR-1236，包含与5’-CCUCUUCCCCUUGUCUCUCCAG-3’核苷酸序列中至
发布时间： 2011-08-03
本发明的激光整形方法及整形后激光硬化处理设备及方法，通过设置特殊形式的光栅对激光进行整形进而通过整形后的激光，对待处理材料进行硬化处理。经光栅整形后的激光各衍射级之间的强度不同，用此种光斑进行激光表面
发布时间： 2011-08-03
一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层，形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上
发布时间： 2011-08-03
本发明提出一种MOS场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底中的源极和漏极；和形成在所述衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅堆叠，其中，栅介质层采用可变K值介质材料。本发明实施例将可变K值介质材料
发布时间： 2011-08-03
本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法，首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜，然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中，并将两者分别
发布时间： 2011-08-03
一种半导体器件的制造方法，所述方法在栅极替代工艺(Replacementgate或Gate?last)制备CMOS晶体管过程中，在去除伪栅堆叠后，在去除伪栅堆叠形成的第一开口内形成L形侧墙以及其上的第
发布时间： 2011-08-03
本发明公开了一种风力机叶片的设计方法和根据该方法设计出的风力机叶片，所述叶片包括大梁（2）和蒙皮（1），所述大梁（2）包括至少一个开孔（21），该方法包括以下步骤：采用现有叶片设计方法，确定叶片的气动
发布时间： 2011-08-03
一种用于时间分辨多色荧光标记的稀土掺杂氟化钆纳米发光材料及其制备方法，涉及多色发光纳米材料制备及其结合时间分辨检测模式在生物荧光标记领域的应用方法。本发明制备的氟化钆纳米晶的组分为：xRe3+-(1-
发布时间： 2011-08-03