本实用新型涉及一种光纤固定装置。光纤固定装置包括外壳、弹性密封圈、内芯和压盖。外壳、弹性密封圈和内芯同轴分别开设有通孔。弹性密封圈和内芯开设的通孔的孔径均与预定光纤孔径匹配。外壳开设的通孔包括自下而上
发布时间： 0000-00-00
提供一种混合沟道半导体器件，包括：第一半导体层和覆盖在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层包括NMOS区域和PMOS区域，所述第一半导体层和第二半导体层中的一个对电子的传导率高于对空穴的
发布时间： 0000-00-00
本实用新型公开了一种小型化FAIMS测控系统，包括人机交互模块、上位机系统和测量控制电路模块。其中，测量控制电路模块包括若干子电路模块；操作人员通过上位机系统和人机交互模块提供的友好的仪器操作界面发出
发布时间： 0000-00-00
一种离子束流自动测量系统及测量方法，将离子束流的四个参数（束流强度、发射度、能散度、单原子离子比）的测量探头有机集成在一个真空室中，用来测量离子束流的束流强度、发射度、能散度和单原子离子比。四个参数的
发布时间： 2012-12-12
本发明涉及可用于实现太赫兹特异介质的三种电磁谐振单元结构及方法，其特征在于所述的单元结构为SR1、SR2和SR3中的任一种；其中，SR1由一个“工”字型封闭的金属环组成；SR2是在两个嵌套的闭合金属环
发布时间： 2012-12-12
本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸
发布时间： 2012-12-12
本发明公开了一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法，利用体硅衬底外延压应变的SiGe层，采用键合工艺将SiGe层转移至热氧化的硅片上，该SiGe层，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料
发布时间： 2012-12-12
本发明涉及一种基于蓖麻油和微晶纤维素的复合材料及其制备方法，该复合材料的特征 在于通过如下步骤制得：1)将蓖麻油、微晶纤维素和二异氰酸酯化合物混合均匀；2)将混 合物转入模具，25～150℃固化1～2
发布时间： 2010-03-31
本发明公开了一种从天麻中提取的天麻多糖的硫酸化衍生物及其
制备方法和在制备抗肿瘤药物中的用途，其中该天麻多糖的结构式如图，
其中x和y为整数且x+y＝16，
n为整数，其峰尖分子量为2.8×10
发布时间：
2010-03-31
一种用于反射率>13%的平面光学元件面形的检测方法，该检测方法所使用工具包括：斐索干涉仪、两块4%反射率的平面标准镜、一块4%～13%反射率的平面标准镜、一块透射率介于0.30～0.36之间的反射式或
发布时间： 2012-12-12