本实用新型涉及一种用于超声乳化或混合的簧片哨，包括：喷口(1)和簧片(2)，所述的喷口(1)厚度为0.2mm～2mm，所述的喷口(1)和簧片(2)的宽度比为3∶5；所述的簧片(2)的有效长度和簧片(2
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一种基于手性人工电磁结构的双频圆极化器，包括一层矩形介质基板及在矩形介质基板上制作的横向上和纵向上的周期性圆弧形金属线结构，每个周期性圆弧形金属线结构包括四条圆弧形金属线，这四条圆弧形金属线具有共同的
发布时间： 2013-01-09
本发明提供一种硅烷胍基复合阴离子膜及其制备方法和应用，该类膜由具有重复单元的无序体型硅烷胍类聚合物制备而成，由于含有大量的易传导阴离子的胍基团，同时硅烷的保水能力也提高了膜的离子传导能力，使膜具有电导
发布时间： 2013-01-09
本发明公开了一种泥石流一次性冲出量期望值的优化方法及其应用。所述优化方法根据应用需求确定期望值计算的时间期限（n年）和重现周期（Ti年，i＝1,2,……,m），然后采用计算的方法分别获取n年内各重现周
发布时间： 2013-01-09
一种IGBT驱动电路，其驱动输入电源（V2）连接到智能驱动芯片（U1）的输入电源端口（Vc），同时驱动输入电源（V2）也作为稳压源（V1）的输入电源。稳压源（V1）的输出电压经过由电阻（R3）和稳压管
发布时间： 2013-01-09
一种晶体管，包括：背衬底；位于所述背衬底上的隔离层，所述隔离层包括应力层，及嵌入于所述应力层内的空腔结构；位于所述隔离层上的顶层硅；位于所述顶层硅上的栅极结构，及位于所述栅极结构两侧顶层硅内的源区和漏
发布时间： 2013-01-09
本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半
发布时间： 2013-01-09
一种用于超级电容器的石墨化活性炭电极材料及制备方法，该石墨化活性炭的特征为：通过将果壳活性炭用过渡金属硝酸盐进行浸渍然后进行高温处理的方法得到了高比表面积的石墨化活性炭材料，该石墨化的活性炭在超级电容
发布时间： 2013-01-09
本发明涉及三齿咔唑基鳌合的稀土配合物及制法和在共轭二烯高顺-1，4选择性聚合中的应用。所述的稀土配合物包括三齿咔唑基鳌合的稀土卤配合物；三齿咔唑基鳌合的稀土烷基配合物和稀土胺基配合物；或三齿咔唑基鳌合
发布时间： 2010-04-14
一种利用建筑渣土和污泥生产的草皮基质，其特征在于先将建筑渣土筛除水泥、砖石块等非土壤类杂质，然后将城镇污水处理厂产生的污泥与筛选过的建筑渣土按1∶1干重的最佳比例混合制成。这一组合利用了污水污泥中植物
发布时间： 2010-04-07