本实用新型公开了一种用于MRI超导磁体可拔引线的接头结构，包括插接连接的母插头与公插座；以及用于增强所述母插头与公插座接触效果的导电弹性过渡件及弹簧。本实用新型的接头结构结构简单、制作简便、接头的接触
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本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于
发布时间： 2010-09-15
本发明提供一种基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件，所述非挥发性记忆元件包括衬底、底电极、(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜和顶电极，其中(Bi2O3)
发布时间： 2010-09-15
本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)。所述的压电晶体材料，其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n，其中，
发布时间： 2010-09-15
一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖
发布时间： 2010-09-15
本发明涉及到高饱和磁化强度铁基纳米晶软磁合金及其制备方法，其特征在于其是由铁、硅、硼、磷、铜构成的FexSiyBzPaCub合金，式中x、y、z、a、b分别表示各对应组分的原子百分比含量，其中x＝70
发布时间： 2010-09-15
本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P
发布时间： 2010-09-15
本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；2)在器
发布时间： 2010-09-15
本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造
发布时间： 2010-09-15
本发明涉及一种用铟掺杂氧化锌透明导电膜材料及其制备方法。该方法采用多靶共溅磁控溅射技术，采用氧化锌陶瓷靶和铟金属靶共溅的方法，在普通碱玻璃及石英玻璃衬底上制备出具有多晶结构的ZnO:In透明导电膜。工
发布时间： 2010-09-15