本发明公开一种柔性遮盖制具的制备方法，将工件浸入在第一材料中，所述第一材料在第一条件下从具有流动性的液态或粉末状变化为固态的第二材料，且固态的第二材料具有弹性；在第一条件下将第一材料转化为第二材料，使
发布时间： 2010-09-08
本发明涉及雷管激发装置及无起爆药雷管。激发装置至少有一个安装微量炸药的内帽，它是变截面圆筒体结构，筒体外径和内孔均为上大下小阶梯形，上筒体内孔径大于下筒体的外径。雷管壳体内孔为上大下小的阶梯孔，激发装
发布时间： 2010-09-08
本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)光吸收层薄膜的一种制备方法，本发明的特点在于首先采用磁控溅射法在基片上沉积Cu-In-Ga预制合金膜，然后在光的辅助下，将Cu-In-Ga预制合金膜与固态Se源反应生
发布时间： 2010-08-25
一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb
发布时间： 2010-08-25
本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特
发布时间： 2010-08-25
一种可控硅装置的微槽群复合相变集成冷却散热方法及装置，涉及散热技术，该方法利用液体在微槽群复合相变取热器内的开放式复合相变微槽群中的薄液膜蒸发和厚液膜沸腾的微细尺度复合相变换热特性进行取热。该装置在单
发布时间： 2010-08-25
本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮Z
发布时间： 2010-08-25
本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：选择至少两种前躯体在隧穿介质层上采用化学气相淀积方法生长俘获层；在生长俘获层的过程中，关闭其中一种或几种前躯体，仅保留含有纳米晶
发布时间： 2010-08-25
本发明涉及一种包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备，在组分渐变缓冲层中插入n层无应变的超晶格隔离层材料，n为自然数，1≤n≤5；其制备过程为：首先确定生长温度、束源炉温度等参数；然后
发布时间： 2010-08-25
本发明提供了一种电子辐照改性聚合物电解质的制备及其在染料敏化纳米晶太阳电池上应用，属于太阳能电池技术领域和电子加速技术领。本发明以环氧乙烷与聚丙烯腈为原料，以碘和碘化钾的混合物为氧化还原电对，加入到乙
发布时间： 2010-08-25