本发明公开了一种抗饱和的SAR原始数据Nbit均匀量化动态解码方法，涉及合成孔径雷达信号处理技术，首先根据符合高斯分布数据Nbit均匀量化后的输出功率与输入功率的先验曲线，通过计算均匀量化输出功率得到
发布时间： 2012-11-28
一种现场总线至PC104总线的转换装置，其特征在于包括：PC104从设备接口电路，用于通过PC104总线与上位机进行通信；接收缓冲区，用于接收上位机或现场总线控制逻辑电路发送来的数据；发送缓冲区，用于
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本发明公开了一种在基板中埋置有源元件的方法。该方法包括：在第一承载板的导电层上形成第一内层电路图形；将有源元件连接至第一承载板上的第一内层电路图形；在介质板上有源元件的对应位置加工空穴，空穴的长度和宽
发布时间： 2012-11-28
本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储单元；每个所述存储单元包括字线、位线、浮栅存储器件和动态存储电容；所述浮栅存储器件的栅极与一条所述字线相连，源极与另一条所述字线相连，漏极与所述位线相连；所述动
发布时间： 2012-11-28
本发明提供了一种燃料电池的MEMS制造方法，包括：步骤A，提供衬底；步骤B，在所述衬底上同时形成阳极和阴极，以构成燃料电池的极板；步骤C，将所述燃料电池的极板与质子交换薄膜层叠，压合组装形成燃料电池。
发布时间： 2012-11-28
一种制备柔性CdTe薄膜太阳能电池的方法，该制备方法的工艺步骤包括以下步骤：1）清洗云母基底（1）；2）在云母基底（1）上生长透明导电薄膜（2）；3）在基底（1）的透明导电薄膜（2）上生长CdS（3）
发布时间： 2012-11-28
本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器，其中的电容阵列数模转换电路包含的电容阵列到比较器的输出端连接有辅助电容器，该辅助电容器的电容值选取为使得当输入电压的摆幅在零伏到电源电压之间时，电容阵列到比较器的
发布时间： 2012-11-28
本发明提出了一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该制备方法通过在基于SOI的SiGe-HBT工艺流程中增加使用一个特定的光刻版，将外基区注入限定在指定的区域，有效解决了薄膜SOI上（小于
发布时间： 2012-11-28
本发明公开了一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法，利用氢等离子体在氧化铟锡透明导电玻璃表面还原出一层铟金属纳米点，然后通入硅烷等前驱气体生长纳米线和薄膜，最终得到产品。本发明能够在一百摄
发布时间： 2012-11-28
本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-H
发布时间： 2012-11-28