一种通过腔面镀膜提高量子点激光器温度稳定性的方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的量子点激光器芯片；步骤2：通过在所述量子点激光器芯片的非出光端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，得到具
发布时间： 2011-01-26
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置，包括进样室，与进样室真空连接的铜铟镓硒蒸发室和样品运转室，与样品运转室真空连接的钼溅射室、激光光刻室、铜铟镓溅射室、硒化室及氧化锌溅射室。铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备
发布时间： 2011-01-26
本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表
发布时间： 2011-01-26
本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄
发布时间： 2011-01-26
本发明涉及一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法，其特征在于在选定的半导体衬底材料上外延生长一层半导体材料，该外延生长的半导体材料厚度在临界厚度以内，且使晶体处于完全应变状态，接着进行氧离子注入，使氧离子
发布时间： 2011-01-26
本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料
发布时间： 2011-01-26
本发明提供一种能消除干扰的相变存储器单元结构，其包括：相变材料形成的相变电阻；并联在所述相变电阻两端的受控开关管；与所述相变电阻一端连接的选通管，其中，所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的
发布时间： 2011-01-26
本发明公开了一种Web应用部署约束自动检测方法，包括以下步骤：1)建立Web应用的部署方案模型D(Ω)＝
发布时间： 2011-01-26
本发明提供了一种面向Android及其衍生系统的软件操作录制回放方法，包括如下步骤：1)装备Android及其衍生系统的设备端与PC端连接并通信；2)对设备端进行UI操作，设备端或PC端记录UI操作指
发布时间： 2011-01-26
本发明公开了一种软件生产线构造方法及系统，属于计算机软件领域。本方法为：1)客户端创建软件生产线模型文件并将其保存到服务器端；2)客户端装配模块从服务器端下载并解析该软件生产线模型文件，获得该软件生产
发布时间： 2011-01-26