本发明公开了一种含有多羰基二铁二硫簇化合物的光催化产氢体系包括：多羰基二铁二硫簇化合物、CdTe量子点、抗坏血酸和含水溶剂。本发明的光催化产氢体系产氢效率高，体系的稳定性高，以体系总体积为10ml计每
发布时间： 2012-05-16
一种基于载荷-深度曲线获得金属材料力学性能的方法，属于材料性能测试技术领域。其在确定采用大的压入深度比(深度h/压头半径R)的基础上，采用两种深度组合(h1＝0.1R、h2＝0.4R)，对三种弹性模量
发布时间： 2012-05-16
本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域，从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制，大大增加了晶界数，增大
发布时间： 2012-05-16
本发明涉及非铂催化剂，具体的说涉及一种用于质子交换膜燃料电池的氧还原催化剂及其制备和应用，其可按如下方法制备，(1)聚吡咯(PPy)的合成；(2)M/N-C催化剂的制备；所述的M/N-C催化剂可用作质
发布时间： 2012-05-16
本发明涉及生物制药领域，具体地，本发明涉及一种聚乙二醇-葡激酶偶联物及其制备方法和应用。所述偶联物是葡激酶N端连接有聚乙二醇共价偶联物，其中，通过聚乙二醇修饰剂将聚乙二醇共价连接到葡激酶的N端，所述的
发布时间： 2012-05-16
本发明公开了一种系统终端设备建立NAT穿越通道的方法，包括：呼叫方系统终端设备通过转发服务节点分别获取转发服务节点上的数据接收端口及网络地址、NAT设备上的数据接收端口及网络地址和系统终端设备上的数据
发布时间： 2011-05-11
本发明提供一种基于曲面论和优化控制理论的曲面建模方法，包括：采集等高线高程值和已知离散点高程值；根据所述等高线高程值和已知离散点高程值计算原始模拟区域中未采样网格点的高程值上下界，得到所述原始模拟区域
发布时间： 2011-05-11
一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层
发布时间： 2011-05-11
本发明涉及一种磁头衬底材料及其制备方法，其特征在于采用Al2O3、TiC和Ti3SiC2为起始原料，首先通过滚筒球磨的方式进行混料，然后在高温高压的条件下将粉体烧结，从而获得致密Al2O3/TiC/T
发布时间： 2011-05-11
本发明提供了一种天线组阵中基于循环自相关的信号相位差估计装置，所述天线组阵包括多个接收天线单元，该装置用于对天线组阵的循环平稳信号的相位差进行计算，该装置包括：至少一个匹配滤波器，一个或两个循环自相关
发布时间： 2011-05-11