本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且
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提供了一种应力隔离沟槽半导体器件，包括硅基底（10）（S11）；在硅基底上形成第一沟槽（13）和第二沟槽（14），第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直（S12）；在第一沟槽中形成第一介质层，
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本实用新型提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；侧墙，其形成于所述栅极周围，其中，所述高k介质层具有被氮化的部分，其位于所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的区域，
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一种故障限流装置，其特征是利用双态断路器、压敏电阻、超导限流单元和限流电抗器组成的组合电路进行限流。双态断路器内含有两个常闭触点、两个常开触点和接触器；接触器在传动机构的作用下，分别连接两个常闭触点或
发布时间： 2013-03-13
本发明公开了一种1,2,4-丁三醇的生物合成方法。该方法包括用重组生物细胞将苹果酸或其盐转化为1,2,4-丁三醇的步骤；所述重组生物细胞表达具有将苹果酸或其盐转化为1,2,4-丁三醇功能的酶系统。所述
发布时间： 2013-03-13
本发明公开了一种具有自检修功能的智能蓄电池组及其连接电路。该连接电路包括串联设置的两个以上电池单元，其中，每一电池单元的一极依次经串联设置的一第三开关和一第一开关与一检测端口及所述备用电源的一极电连接
发布时间： 2013-03-13
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增
发布时间： 2013-03-13
本发明公开了一种放电腔的导流装置，所述放电腔具有对称的结构，且包括两对电极，该导流装置包括两个叶轮，该两个叶轮分别对应所述两对电极中的一对，其安装位置关于所述放电腔的对称面对称，且位于所述电极的下方，
发布时间： 2013-03-13
抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中
发布时间： 2012-05-02
本发明公开了一种伪造虹膜图像判别方法，该方法包括构建阶段和判别阶段，所述构建阶段包括树型视觉词典的构建阶段和伪造虹膜判别分类器的构建阶段，其中树型视觉词典的构建阶段对样本虹膜图像库中的样本虹膜图像进行
发布时间： 2012-05-02