本发明涉及一种离子迁移谱的样品添加装置。具体的说是一种可以动态稀释样品浓度多通道进样装置。它可以实现多路样品的进样、样品稀释以及动态注射进样，适用于气体、液体、甚至是固体的气化进样。
发布时间： 2013-06-19
本发明公开了一种用于改善边发射激光器二维远场形貌的光子晶体复合波导装置，该结构由平行于异质节方向的脊波导结构和垂直于异质节方向非对称的光子晶体结构组合构成，两者结合来实现激光器的低发散角和圆斑输出。垂
发布时间： 2013-06-19
本发明提供一种闪存存储器，存储器的电荷存储层被隔离介质区划分为两个电荷存储区，所述隔离介质区的电导率小于所述两个电荷存储区的电导率，两个电荷存储区的材料不同。相应地，本发明还提供一种闪存存储器的制作方
发布时间： 2013-06-19
本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，并使所述Si1-xGex层弛豫以形成弛豫Si1-xGex层；其次在所述弛豫Si1-x
发布时间： 2013-06-19
一种金属空气电池，包括金属板阳极、片状的空气阴极、电池壳体，所述金属板阳极和上盖板为相同材料压制而成的一体式结构；二个片状的空气阴极通过阴极电连接片相互连接；且于一片空气阴极上设有阴极中心集流导电片。
发布时间： 2013-06-19
一种Pt/Au/PdCo/C催化剂。该催化剂制备包括(1)合金化PdCo/C的制备和(2)Pt/Au/PdCo/C催化剂的制备两个步骤。该催化剂具有Pt载量低及电化学稳定性高等优点，可用作金属空气燃料
发布时间： 2013-06-19
一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的
发布时间： 2013-06-19
本发明公开一种新的离子接收装置。该装置基于法拉第盘的工作原理，可以高效的接受气相中的离子，用于离子迁移谱离子信号转化成电流信号。其优点在于：结构简单，功能可靠，可以有效预防法拉第盘附近放电现象的发生。
发布时间： 2013-06-19
本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括步骤：步骤S1，在衬底上形成第一应力层；步骤S2，在第一应力层中形成假栅凹槽；步骤S3，在假栅凹槽中淀积形成假栅；步骤S4，去除第一应力层，留下假栅；以及步骤
发布时间： 2013-06-19
本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：确定注入的离子种类、每种离子所带单位电荷数、每种离子占总离子数的比例以及所有注入离子的总电流密度；通过积分运算
发布时间： 2013-06-19