本实用新型公开了一种管状厚膜发热器，包括从管状的中心沿径向依次设置内绝缘层、基体层、外绝缘层以及厚膜电阻加热层。本实用新型管状厚膜发热器中，在冷热膨胀过程中，基体层的内外壁是同时收缩或者膨胀的，将内绝
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本发明公开了一种在无线通信系统中使用的信道编码方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：构造用于确定m×n维校验矩阵的基矩阵，其中所述基矩阵中的元素均为非负整数；采用循环移位的方法对所述基矩阵中的元素进行
发布时间： 2013-10-09
本发明涉及一种反射式变形镜变焦方法及系统，方法包括以下步骤：1）根据外部变焦指令判断是否需要变焦；若是，则进行步骤2）；若否，则退出变焦过程；2）通过调整变形镜的曲率进行变焦控制；3）根据变焦时间判断
发布时间： 2013-10-09
本发明公开了一种直线型脉冲管制冷机与红外器件的耦合结构及制造方法，该结构由主基座、压缩机、连管、直线型脉冲管冷指、调相机构、冷指支撑外壳、柔性导热带集合体、柱状冷链、冷链加固支撑、器件冷却平台、红外器
发布时间： 2013-10-09
本发明公开了一种针对鸡新城疫病毒、禽流感病毒和鸡传染性支气管炎病毒的三联卵黄抗体及其制备方法和应用。本发明提供的制备卵黄抗体的方法，包括如下步骤：（1）选取母鸡；（2）用鸡新城疫病毒、传染性支气管炎病
发布时间： 2013-10-09
CO2激光器输出光轴实时直接监测方法，属于光学机械领域，解决了现有方法结构连接复杂、装调难度大、无法有效监测CO2激光器输出光轴的问题。该方法为将CO2激光器输出窗口镜的CO2激光器激光输出区镀增透膜
发布时间： 2013-10-09
一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法，包括：在清洗好的硅衬底上生长锗层；在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；对高温砷化镓层的表面进行抛光；退火后生长MOSFET结构，
发布时间： 2013-10-09
本发明提供一种停堆系统，该停堆系统包括一个控料活塞、一个铁块、一个连接条、一个滑轮和一个电磁铁，该控料活塞和该铁块分别连接于该连接条的两端，且通过该连接条跨接于该滑轮的两侧，在通电时，该电磁铁能够吸附
发布时间： 2013-10-09
本发明提供一种电流模驱动型的抗电磁干扰LIN驱动器，包括斜率控制电路，用于对信号进行边沿整形；模拟缓冲器，与斜率控制电路连接，用于屏蔽电路负载对斜率控制电路的影响；分压网络，与模拟缓冲器连接，用于对模
发布时间： 2013-10-09
本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段
发布时间： 2013-10-09