本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供SOI衬底，在所述衬底上形成重掺杂埋层以及表面有源层；在所述衬底上形成栅极堆叠和侧墙；在所述栅极堆叠的一侧形成开口，所述开口贯穿所述表面有
发布时间： 2013-10-30
本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以
发布时间： 2013-10-30
本发明公开了一种用于强流电子注分析仪的可移动极间距电子枪系统，包括一个主真空腔体和位于主真空腔体内的电子枪，所述主真空腔体横向水平安置。所述电子枪系统还包括一个同心轴组件，其从所述主真空腔体的后端水平
发布时间： 2013-10-30
一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，
发布时间： 2013-10-30
本发明公开了一种G1类S盒构造方法及其电路，属于通信技术领域。本方法为：1)设x0x1x2x3为S盒的输入信息；对x0和x1进行逻辑与运算，再将结果与x3异或后的值更新x3；2)对x1和x2进行逻辑或
发布时间： 2013-10-30
一种虚拟视点图像后处理方法，包括以下步骤：选取待处理图像帧的彩色图像参考帧及深度图像参考帧；获取包含待处理图像帧中的空洞的待处理窗口，在彩色图像参考帧及深度图像参考帧的搜索范围内，搜索所有与所述待处理
发布时间： 2013-10-30
本发明提供了一种双金属栅极CMOS器件的制造方法，具体包括：在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第一类型金属功函数调节层，在所述第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第二类型功函数金属扩散源层；在第一栅极凹陷
发布时间： 2013-10-30
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形
发布时间： 2013-10-30
本发明公开了一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝
发布时间： 2013-10-30
本发明公开了一种强流电子注能散测量系统，包括真空腔体、二极铁电磁体、双狭缝铜体、YAG探测器和CCD图像采集器。真空腔体是扁平的且横截面呈矩形，其纵向与水平面平行；二极铁电磁体的两极分别安装在真空腔体
发布时间： 2013-10-30