本发明提供一种半导体结构及其制造方法。通过沟道重建使得源/漏区（110）位于侧墙（240）两侧的部分的顶部高于栅堆叠结构和侧墙（240）的底部，并且所述源/漏区（110）在所述栅堆叠结构和侧墙（240
发布时间： 2013-11-06
本发明研发了一类能够在0-160℃，0.1-6MPa催化CO2与环氧烷烃反应生成环状碳酸酯的新型催化剂及其制备方法。本发明的催化剂为金属钴络合的共轭微孔高分子CMP[Salen-Co-R1],其结构式
发布时间： 2013-11-06
本发明公开了一种陶瓷平板膜支撑体及其制备方法，所述陶瓷平板膜支撑体包含2层平板膜、左侧壁、右侧壁和至少一个支撑柱，所述2层平板膜、左侧壁和右侧壁组成扁管状结构，所述支撑柱位于2层平板膜之间；所述平板膜
发布时间： 2013-11-06
本发明涉及一种网络管理中面向海量数据的并行处理方法，尤其是一种提高带宽和资源利用率的任务调度方法，包括：定时从数据库中取出待采集任务，并将待采集任务插入任务采集队列，等待采集任务的执行；从任务采集队列
发布时间： 2013-11-06
本发明公开了一种溶菌酶，具有SEQ?ID?NO:1所示的核苷酸序列。相应的，本发明提供了具有该核苷酸序列的溶菌酶的生产方法，利用大肠杆菌，酵母或枯草芽孢杆菌均可对本发明的溶菌酶进行高效表达，本发明的溶
发布时间： 2013-11-06
本发明公开了一种宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，属于光电子材料与器件领域，解决了现有InGaAs红外探测器由于晶格失配产生缺陷，导致探测器性能明显下降的问题。本发明的宽探测波段的InGa
发布时间： 2013-11-06
本发明公开了一种双片苣苔组织培养及快速繁殖的方法。本发明以双片苣苔叶片为外植体，通过筛选和优化初代诱导、继代增殖、生根和移栽培养基配方和培养条件，经过不定芽的初代诱导、继代增殖和生根培养以及试管苗的移
发布时间： 2013-11-06
本发明公开了一种测定聚合物薄膜玻璃化转变温度的方法。该方法，包括如下步骤：将待测聚合物样品作为构成有机场效应晶体管的聚合物薄膜层的材料，在恒定栅压VG和恒定源漏电压VSD的条件下升温所述有机场效应晶体
发布时间： 2013-11-06
本发明提供了一种水样采集器与水质检测系统，水样采集器包括顺序连接的集水器、引水管、导流管、储水罐；水质检测系统包括水样采集器和放置在水样采集器的储水罐内的水质检测探头。本发明的装置结构简单、安装操作简
发布时间： 2013-11-06
本发明提供了一种纳米复合Me-Si-N（Me=Ti、Cr、Zr、W等）超硬涂层的制备方法，该方法利用高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）技术，通过优化工艺参数，反应磁控溅射制备Me-Si-N纳米复合超硬
发布时间： 2013-11-06