一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体器件上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；然后是主刻蚀步骤：将氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；接着是
发布时间： 2014-01-22
一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长
发布时间： 2014-01-22
本发明涉及一种数字相关器，包括：采样模块、多路复用模块、相关计算模块、同步采样时钟模块以及同步控制模块；其中，所述采样模块采用采样率等于或高于5GHz的模数转换器实现，所述多路复用模块、相关计算模块以
发布时间： 2014-01-22
一种外腔半导体激光器，包括半导体光放大器和依次设置于所述半导体光放大器输出光的光路上的准直透镜、布儒斯特窗片、可旋转的单腔全介质薄膜法布里-珀罗滤光片、部分反射镜，以及致动机构；所述准直透镜的出射光入
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种用于可配置位宽RAM的读取路径选择及控制电路，该电路包括：位宽配置译码电路、地址使能译码电路、地址采样电路、地址跳转电路、路径选择控制电路以及读取路径选择电路。采用了可配置的电路设计控
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种波形拼接语音合成的选音方法，该方法包括以下步骤：基于原始音频进行基于隐马尔可夫的模型训练，得到声学模型集及对应的特征决策树；输入若干训练文本，基于特征决策树搜索得到相关声学模型，进而得
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种基于傅里叶变换的红外图像分析方法，它主要应用于红外辐射强度图像和偏振度图像分析。它首先对待分析的红外辐射强度图像和红外偏振度图像进行傅里叶变换，得到各自的频谱。然后对得到的频谱进行中心
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路，该电路包括：位宽配置译码电路、地址使能译码电路、地址采样电路、地址跳转电路、路径选择控制电路以及写入路径选择电路。采用了可配置的电路设计控
发布时间： 2014-01-22
本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶
发布时间： 2014-01-22
本发明公开一种压电陶瓷快速偏转镜动态频率响应测试系统及方法，用于测试压电陶瓷快速偏转镜频率响应，考察其动态位移特性。系统由频响分析仪和压电陶瓷控制器组成。首先由频响分析仪输出扫频信号，经压电陶瓷控制器
发布时间： 2014-01-22