本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区
发布时间： 2014-01-22
本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单元的操作功耗；其特征在于采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触
发布时间： 2014-01-22
本发明涉及一种将数据导入iSCSI目标器的方法和iSCSI启动器。该方法包括：在预设时间内接收至少一个数据写入请求；将至少一个数据写入请求中携带的磁盘位置相邻的数据写入请求进行组合，得到组合数据写入请
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上依次沉积第一介质材料层和第二介质材料层；采用含氦的刻蚀气体，依次刻蚀第二介质材料层和第一介质材料层，分别形成
发布时间： 2014-01-22
一种高温超导带材环氧树脂涂抹装置，由一个下框架单元、一个上框架单元、两个槽单元、一个电机单元组成。下框架单元布置在整个装置最下方，上框架单元布置在下框架单元之上，上框架单元、下框架单元中分别布置有一个
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接
发布时间： 2014-01-22
一种基于全桥隔离双向变换器的蓄电池充放电控制方法。充电时，首先设定四种工作状态：开关频率f＝X2kHz最大功率充电状态、开关频率f＝X2kHz恒流充电状态、开关频率f＝X1kHz恒流充电状态、开关频率
发布时间： 2014-01-22
本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函
发布时间： 2014-01-22
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积介质材料层；执行主刻蚀，刻蚀介质材料层形成侧墙，并在衬底上留有介质材料层的残留；执行过刻蚀，去除介质材料
发布时间： 2014-01-22
本发明提供了一种集成电路的器件参数优化方法，包括，A、提取集成电路的寄生参数初始值；B、依据器件参数初始值和所述寄生参数初始值，构建第一函数，所述第一函数表示寄生参数值与器件参数值之间的关系；C、依据
发布时间： 2014-01-22