本发明涉及一种二维压电声子晶体射频声波导，该二维压电声子晶体射频声波导包括设置在压电基片上的二维金属点阵，所述二维金属点阵的y方向晶格常数与x方向晶格常数成比例，使得x方向上的通带对应于y方向上的阻带
发布时间： 2014-01-29
一种SM2数字签名生成算法的实现方法及装置，本发明采用CPU和GPU协作方式进行SM2数字签名生成算法计算，将SM2数字签名生成算法中的计算椭圆曲线点步骤在GPU中进行预先计算得到结果并存储在设置的存
发布时间： 2014-01-29
本发明提供了一种具有外延LDD和Halo区域的晶体管器件及其制造方法。采用了外延与自对准各向异性刻蚀相结合的工艺，避免了现有的采用的离子注入以及退火工艺形成Halo和LDD区域制造方法中的问题，在不增
发布时间： 2014-01-29
本发明公开了一种多路显微视觉标定系统，该系统包括：三路视觉系统、运动平台、计算机，其中：三路视觉系统安装在能够看清零件的特征信息的位置；零件安装在运动平台上，运动平台包括多个电机，可使得运动平台和零件
发布时间： 2014-01-29
本发明涉及卤化银感光材料的增感方法，特别涉及到氧化石墨烯在卤化银感光材料中的应用。将氧化石墨烯水分散液加入到经过化学增感和光谱增感之后的卤化银感光乳剂的涂布后加液中，然后在片基上进行机涂，经干燥后曝光
发布时间： 2014-01-29
本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，其输入端接输入信号，输出第一缓冲信号（out1），用于消除“低高低”型脉冲；第二缓冲器，其输入端接输入信号，输出第二缓冲信号（out2）
发布时间： 2014-01-29
本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和In
发布时间： 2014-01-29
本公开涉及栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件。本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和所述p
发布时间： 2014-01-29
本发明公开了一种基于多实例马尔科夫模型的行为识别方法。该方法包括以下步骤：对每个视频提取局部特征，用一个局部视频块的特征直方图来表示行为的某个局部运动；通过随机采样的方式得到许多局部视频块，这些局部视
发布时间： 2014-01-29
本发明公开了一种可扩展的工业组态或仿真软件通信方法，属于计算机通信技术领域。本方法为：1)服务器端配置组态或仿真软件，在组态或仿真软件内设置一信号读写模块和一通信代理模块；其中，所述通信代理模块中包括
发布时间： 2014-01-29