本发明涉及一种能够精确标定金属及半导体薄膜材料光学常数的方法。该方法适用于任何工艺制备的薄膜态金属和半导体材料，其流程如下：厚度为15-100nm薄膜样品制备；X射线全反射谱法精确标定厚度；透射率谱线
发布时间： 2014-02-12
本发明涉及一种碲化铋基热电发电元件及其制备方法，所述碲化铋基热电发电元件包括：碲化铋基质层、通过电弧喷涂形成在所述碲化铋基质层上的阻挡层、以及通过电弧喷涂形成在所述阻挡层上的铜电极层。本发明的热电发电
发布时间： 2014-02-12
本发明涉及一种针对已调度汇编代码的控制流图重构方法，包括：对源程序进行静态分析，根据全局延迟槽列表信息，获取源程序所有可能的执行路径，由此构建指令流图；其中，指令流图中的每个结点代表一条指令；遍历指令
发布时间： 2014-02-12
本发明涉及一种锌镍单液流电池正极，包括基底，于基底表面上原位生长或附着的组成材料为氢氧化镍的双层纳米管。所述双层管状纳米氢氧化镍材料是以氧化锌纳米管为模板，通过镍盐水解法制备而成。由该电池由于正极材料
发布时间： 2014-02-12
本发明提供了一种模拟星载SAR距离模糊噪声图像的方法。该方法包括：由星载SAR目标区图像的数据记录窗口，计算距离模糊源的位置，并获取该位置的参考图像；将机载SAR系统获取的SAR原始回波数据进行成像处
发布时间： 2014-02-12
本发明涉及一种基于压缩感知和Hadamard变换的成像光谱系统，包括：望远镜单元、成像透镜、第一扩束准直透镜、第一数字微反射镜、照相机、凹面准直反射镜、分光光栅、第一会聚透镜、第二数字微反射镜、第二会
发布时间： 2014-02-12
本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，
发布时间： 2014-02-12
本发明提出一种电容拓扑结构及集成电路，其中电容拓扑结构包括多个电容单元，电容单元包括位于中央的正N边形MIM电容以及围绕在正N边形MIM电容周围的侧壁电容，侧壁电容包括中央镂空的多层第一金属层，镂空部
发布时间： 2014-02-12
本发明公开了一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述锗衬底结构包括硅衬底、结晶氧化铍层和结晶锗层。所述方法通过在单晶硅衬底表面上沉积结晶金属铍层，通过氧化的方法，形成适于锗
发布时间： 2014-02-12
本发明公开了一种便携式CO2高灵敏检测系统，包括有主控芯片，与主控芯片连接的有激光器温度控制器和电流控制器，主控芯片通过SPI接口连接SD卡，主控芯片通过通用异步收发传送器与上位机连接，所述的激光器温
发布时间： 2014-02-12