本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N-,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P-层，所述终端表面结构由下到上依次淀积
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了匹配可见光波段高速探测器的DMD显示调制方法，本发明对基于DMD高帧频灰度图像显示要求，将n位灰度图像数据转换为n个位平面，并按照DMD块的要求对每个位平面数据进行块划分，根据帧频算出PW
发布时间： 2014-03-26
本发明属于新能源技术领域，特别是涉及一种压电薄膜发电器及其制作方法，该压电薄膜发电器包括基底，所述基底上设有压电薄膜，所述压电薄膜的两端分别垂直地设有薄膜电极，压电薄膜两端的薄膜电极通过导线连接形成闭
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了一种热交换器，适用于气体激光器，尤其适用于准分子激光器，所述热交换器的冷却管道采用椭圆管，且所述热交换器的环形肋外径沿所述热交换器的主轴方向变化，两端外径较小，中间区域外径较大。本发明提供
发布时间： 2014-03-26
本发明涉及一种用于燃料电池阴极电催化剂及其制备和应用，所述催化剂是以导电聚合物为反应前驱体，在酸性、氧化条件下聚合得到聚苯胺后加入过渡金属盐、以及含磷化合物和/或含硼化合物为前驱体，然后经干燥、高温裂
发布时间： 2014-03-26
本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成至少一个沟槽；用具有应力的金属或其亚金属氧化物来填充所述至少一个沟槽；以及将所述金属或其亚金属氧化物转变为金属
发布时间： 2014-03-26
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一种示例方法可以包括：在半导体衬底上形成栅极和源/漏区；在所述源/漏区上外延生长牺牲源/漏；在半导体衬底上形成层间电介质层，并对其进行平坦化，以露出牺牲源/漏；
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了一种扁平式多级降压收集极，其包括：多级收集极，其包括多个上下依次叠加的收集极，每个收集极的左侧或右侧具有一引线孔，前后两侧有定位脊；绝缘陶瓷，其分为两部分平板型结构，用于夹持所述多级收集极
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了一种移动终端、服务器及签到系统，该移动终端包括：摄像头，用于摄取签到人员的面部信息；处理器，用于将签到人员的面部信息与预存的面部信息进行匹配，获得目标面部信息，以及根据时间信息和与目标面部
发布时间： 2014-03-26