本发明公开了一种用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法。本界面结构是在有机卤化铅薄膜上利用原子层沉积等手段沉积一层厚度可控的均匀氧化物绝缘层，用于修饰和调
发布时间： 2014-03-26
一种宽频谱电磁屏蔽光窗，构成包括光窗的基质材料、第一金属网栅和第二金属网栅，其特点在于所述的第一金属网栅和第二金属网栅为周期性结构的金属网栅，嵌入在所述的光窗的基质材料内。本发明具有高频和低频电磁波的
发布时间： 2014-03-26
本发明涉及综合应急管理技术领域，具体涉及基于案例推理的城市综合应急智能仿真系统及其运行方法。本发明以结构化的事件信息为条件，在案例库中进行检索，获取案例库中相似案例，并依据各参演实体的行动规则，结合模
发布时间： 2014-03-26
本发明提出的应用于单台多核处理器主机的多线程网络爬虫执行方法包括步骤：S10、创建网页爬取线程、网页分析线程以及URL种子线程；S20、将URL种子载入URL种子缓冲队列；S30、从URL种子缓冲队列
发布时间： 2014-03-26
本发明实施例提供一种内存地址映射处理方法及多核处理器，方法包括：多核处理器交替访问内存系统的物理地址中各组第一地址和第二地址，获取与每组第一地址和第二地址对应的第一平均访问延迟，第一地址与第二地址只在
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第
发布时间： 2014-03-26
本发明涉及一种锂空气电池用复合膜及其制备，所述复合膜由大孔聚合物支撑层与微孔表层构成，微孔表层覆盖于大孔聚合物支撑层的一侧表面；其中支撑层孔径为100纳米-1微米，厚度20-200微米，孔隙率70-9
发布时间： 2014-03-26
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟
发布时间： 2014-03-26
本发明公开了一种离子双向引入和传输的四极杆质量分析装置。所述四极杆质量分析器包括2个离子偏转装置和一四极杆质量分析器；所述离子偏转装置设于所述四级杆质量分析器轴向的两端；且所述离子偏转装置设于与所述四
发布时间： 2014-03-26