本发明公开了一种石墨烯-硫复合电极材料及其制备方法和应用，属于电化学电池领域。所述石墨烯-硫复合电极材料是采用均匀分散氧化石墨烯水溶液、硫的有机溶液及混溶溶剂混合搅拌后进行水热反应，形成硫纳米颗粒均匀
发布时间： 2014-05-21
本发明公开了一种祖冲之算法的硬件实现装置及方法，该装置包括：控制逻辑单元，用于协调控制祖冲之算法硬件装置的初始密钥加载、LFSR寄存器初始化以及密钥的产生；LFSR单元，采用素域GF(231
发布时间： 2014-05-21
本发明涉及一种用于控制航空工业用直流电机的无级调速装置，给定积分器、速度调节器、电流调节器、触发脉冲发生器和可控硅装置顺序连接；电流正反馈电路的输入端与可控硅装置输出端连接，输出端与电流调节器的输入端
发布时间： 2014-05-21
公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET；以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET，其中第二栅长小于第一栅长，其中，第二
发布时间： 2014-05-21
本发明公开了一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2：经外延了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高
发布时间： 2014-05-21
本发明提供一种低功耗对比度增强方法，其特征在于，所述低功耗对比度增强方法包括：统计目标图像像素的灰度值k，得到所述图像灰度值k分布的第一直方图；对所述第一直方图进行滤波处理，得到第二直方图；将第二直方
发布时间： 2014-05-21
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二
发布时间： 2014-05-21
本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，
发布时间： 2014-05-21
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半
发布时间： 2014-05-21
本发明公开了一种基于执行路径差异性的服务选择方法：首先，基于执行路径的差异性将组合服务的各执行路径针对各抽象服务进行分组并据此扩展组合服务的执行方案；接着，依据组合服务的业务流程、各执行路径的信息、各
发布时间： 2014-05-21