一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法，属于半导体材料器件领域。其特征是利用含氟石墨烯作为修饰层，采用有机半导体材料作为半导体层，制备底栅底电极结构（BGTC）的有机场效应晶体管的制备方法。该
发布时间： 2014-06-11
本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上
发布时间： 2014-06-11
本发明公开了一种射频信号相位可数字式调节的射频电源，所述射频电源包括射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器；所述射频信号发生器包括相位调节电路，所述相位调节电路用于调节外输入射频信
发布时间： 2014-06-11
本发明涉及燃料电池技术领域，具体的说涉及直接液体燃料电池低温存储后性能恢复的方法。该方法通过反向电流法实现，具体步骤为：1.对低温存储后的电池进行升温处理；2.向升温至燃料溶液凝固点的电池阳极通入液体
发布时间： 2014-06-11
本发明涉及锂-空气电池正极用氮掺杂的多孔碳材料，具有相互贯通的分级孔结构，N均匀地掺杂于C骨架中，其中N占碳材料原子比0.2-15%，分级孔包括传质孔和沉积孔，沉积孔占总孔孔体积的40~95%，传质孔
发布时间： 2014-06-11
本发明涉及一种锂-硫电池用正极及其制备方法，电极由碳材料和硫组成；电极中均匀分布大孔孔道，且交错贯通，大孔孔径0.5um-5um，孔间距0.5um-5um，孔容0.2-2cm3/
发布时间： 2014-06-11
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极
发布时间： 2014-06-11
一种双应力异质SOI半导体结构，包括第一半导体层，第一隔离区，第二半导体层，第一应力材料区和第二应力材料区，其中：所述第一隔离区将所述第二半导体层隔离成不同的区块，并且延伸到第一半导体层，第二半导体层
发布时间： 2014-06-11
本发明涉及分级孔结构多孔碳材料在锂-空气电池中的应用，其特征是碳材料具有相互贯通的分级孔结构分布，即具有适合放电产物沉积的中孔及适合氧、电解液传输的大孔结构。将该碳材料用作锂-空气电池电极材料，可最大
发布时间： 2014-06-11
本发明公开了一种FinFET及其制造方法，其中该制造FinFET的方法，包括：形成半导体鳍片，该半导体鳍片具有梯形的横截面形状；形成源区和漏区中的一个；形成牺牲侧墙；以牺牲侧墙作为掩模，形成源区和漏区
发布时间： 2014-06-11