硅酸锂包覆锂离子电池富锂层状正极材料的制备方法

本发明涉及一种硅酸锂包覆锂离子电池富锂层状正极材料的制备方法,属于无机材料技术领域。本发明方法通过简单的共沉淀、水热和高温固相烧结反应制备出了硅酸锂包覆的富锂层状正极材料。本发明方法合成工艺简单,生产

发布时间: 2015-02-18

SOI动态阈值晶体管

本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管,包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔;栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法,可以提高

发布时间: 2015-02-18

一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源

本发明公开一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源,至少包括机壳、阳极和阴极,其中,所述阳极的数量在50个至90个之间,所述阴极的数量在50个至90个之间,所述阳极和阴极均呈环形阵列对应设置在所述机

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一种基于标记信息的蒙特卡罗聚变堆重复结构处理方法

本发明公开了一种基于标记信息的蒙特卡罗聚变堆重复结构处理方法,包含如下步骤:获得计算输入参数;根据计算输入参数构建几何树形结构关系,仅存储基本的模型以及与之重复模型的对应关系,将计数区域变换到基本的模

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长导线接地源地下瞬变电磁探测方法及装置

一种长导线接地源地下瞬变电磁探测方法及装置,包括作为发射源的接地导线和作为接收的地下接收装置;接地导线布置在地面;在地面利用已有钻孔或利用已有的地下巷道,在孔中沿钻孔方向或者在地下巷道沿巷道方向逐点布

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一种SOI器件结构及其制作方法

本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法,该结构包括SOI衬底,SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区,所述有源区中形成有MOS晶体管;所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收

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一种线状目标全方位角度SAR景象匹配参考图制作方法

本发明是关于一种线状目标全方位角度SAR景象匹配参考图制作方法,包括以下步骤:A.基于线状目标专题图计算各线条上各点的方向;B.根据所得方向和基准SAR图像的方位计算各线条上各点的参考方位角;C.根据

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一种新的干热岩地热资源量计算方法

本发明公开了一种新的目标区域内的地热资源量计算方法,其包括以下步骤:步骤1、确定目标区域边界并对数据采集点进行干热岩地热属性信息采集;步骤2、利用泰森多边形法将所述目标区域划分多个子区域;步骤3、计算

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一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法

本发明公开了一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法,该方法包括:测量金属氧化物基阻变存储器的I-V曲线,并根据该I-V曲线确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值;计算在低阻态及高阻态下

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一种基于多尺度时序建模的维度情感识别方法

本发明公开了一种基于多尺度时序建模的维度情感识别方法,该方法包括以下步骤:对于视频序列中的每帧图像进行人脸检测及跟踪,并提取人脸关键点作为第一类组人脸特征;提取人脸区域图像、人脸嘴部区域图像和人脸眼睛

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