本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层
发布时间： 2015-03-04
本发明涉及用于人体通信的收发器结构，包括用于收发数据帧、进行数据校验、控制隔离开关的微处理器，用于数据编码与解码的基带处理器，用于控制信号通道的导通与关闭的隔离开关，用于整形处理发送信号和对除噪处理接
发布时间： 2015-03-04
本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底
发布时间： 2015-03-04
本发明提供一种以式I所示的化合物为有机半导体层的有机场效应晶体管及其制备方法与应用。式I中，R1和R2相同或不同，均选自氢、取代或未取代的C1-C50的烷基
发布时间： 2015-03-04
本发明提供了一种红色有机电致发光器件，其由衬底、阳极层、阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层、阴极修饰层与阴极层依次设置而成；其中所述电子主导发光层由
发布时间： 2015-03-04
本发明涉及半导体制造与检测技术领域，尤其涉及一种垂向调整装置。所述垂向调整装置包括：反射镜，用于将高度形貌探测装置投影光学部分的测量光束反射到检测光学部分；垂向运动机构，反射镜设置在垂向运动机构上表面
发布时间： 2015-03-04
本发明涉及一种石墨烯基导电珠光颜料及其制备方法，所述石墨烯基导电珠光颜料包括珠光颜料、和包覆于珠光颜料表面石墨烯，所述石墨烯的厚度为0.3~100nm，所述复合材料中石墨烯的质量百分含量为0.01~5
发布时间： 2015-03-04
本发明涉及科研领域，尤其涉及气体自动收集的装置和方法。包含装水装置其下方包含滴水管，所述滴水管朝下开口，还包含进气管，所述进气管连通入装水装置上方或者连接在所述滴水管上。有益效果：a,实现了野外无电源
发布时间： 2015-03-04
一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；
发布时间： 2015-03-04
本发明涉及一种陶瓷坯体的新型连接方法，包括以下步骤：将含有第一陶瓷粉体、第一水溶性顺丁烯类聚合物和水的第一陶瓷浆料浇注于模具中进行原位固化和陈化制得形成为陶瓷凝胶的第一陶瓷坯体；将含有第二陶瓷粉体、第
发布时间： 2015-03-04